报告题目：氮化镓功率集成电路和感算一体智能传感系统研究

报告地点：理学馆213学术交流室

报告时间：2026年6月10日（周三）10:30~12:00

报告人：汪青 研究教授

邀请人：贺致远 教授

内容简介：氮化镓（GaN）材料已在消费电子和5G通讯领域规模应用，并在AI电源、人形机器人、新能源等领域展现出广阔的应用前景。然而，目前主流GaN分立器件因其与外围芯片存在较大寄生电容、电感，导致电压不稳、功耗过高等问题，极大限制其技术发展和应用进程，GaN单片集成架构应运而生。报告人首次采用电荷捕获层技术，实现DCFL单片集成反相器，获得目前最高阈值电压调控（17.8V）和大击穿电压（＞1000 V）。通过创新的双栅结构设计，成功构建了与非门（NAND）、或非门（NOR）等逻辑门电路，极大简化器件结构和工艺，在5V和10V工作电压下均展现出精确的逻辑操作、稳定的轨到轨输出，驱动频率超1 MHz，性能达世界领先水平。此外，针对GaN CMOS集成中的关键单元——p-FETs器件存在的导通电阻大、饱和电流低等难题，报告人首次提出新型Mg基有金/无金超低阻欧姆接触体系，深入研究了其低阻机制和载流子输运机理，发现Mg金属对GaN的直接P型掺杂现象，最终实现高性能GaN p-FETs器件。团队已实现GaN气体传感器的多种气体类型检测，重点探讨GaN感算一体智能传感系统研究及其潜在应用。

报告人简介：汪青博士，南方科技大学深港微电子学院研究教授、正高级研究员，博士生导师，深圳市高层次人才，获得广东省自然科学优秀青年基金资助，广东省GaN器件工程技术研究中心副主任，深圳市第三代半导体器件重点实验室副主任，IEEE Senior member，主要研究方向为GaN功率器件和集成电路、GaN射频器件、Ga2O3功率器件和集成电路，共发表100余篇SCI/EI论文，近三年以通讯作者在Science Advances、IJEM、IEEE EDL、ISPSD、Device等顶刊顶会发表高水平文章，先后主持了国家自然科学基金、广东省自然科学基金、广东省科技计划项目等，授权/申请国内发明专利50余项和PCT专利5项，参与制定1项国家标准、1项行业标准和2项团体标准。