刘远 教授 博士生导师

         联系方式：eeliuyuan@gdut.edu.cn

           通讯地址：广东工业大学大学城校区教学六号楼102

   所属团队：微纳电子器件与集成技术研究团队

简介：

刘远，1984年11月生，博士、教授、IEEE Senior Member、广州市珠江科技新星、国防科技重点实验室优秀中青年人才。主要从事数字集成电路设计、集成电路可靠性与可测性、半导体器件缺陷表征与无损筛选等研究。

研究方向：

     1.     AI芯片设计； 2.     集成电路可靠性、表征与测试

 教育经历：

      2000.9-2004.6，华南理工大学，电子科学与技术，获学士学位；

     2004.9-2009.6，华南理工大学，微电子学与固体电子学，获博士学位。

     工作经历：

     2009.7-2011.11，广东工业大学，材料与能源学院，讲师

     2012.11-2014.11，工业和信息化部电子第五研究所，博士后、工程师

     2014.12-2018.6，工业和信息化部电子第五研究所，高级工程师

     2018.7-2020.12，广东工业大学，自动化学院，副教授

     2021.1-至今，广东工业大学，微电子学院，教授

    主要荣誉：

    1.     IEEE Senior Member

    2.     广州市珠江科技新星

    3.     国防科技重点实验室优秀中青年人才

    科研获奖：

   1.     新一代国密芯片及信息安全系统，广东省科技进步二等奖，2020

   2.     微纳器件失效物理表征及应用技术，国防科技进步一等奖，2018

    科研项目：

    1.       铟锌氧化物薄膜晶体管的低频噪声特性及其可靠性应用，国家自然科学基金面上项目，2016.1-2019.12，73.68万，主持

    2.       双极型器件低剂量率辐射损伤机理与加速试验研究，国家自然科学基金青年基金，2012.1-2015.12，26万，主持

    3.       基于噪声分析的金属氧化物薄膜晶体管可靠性表征与质量评估方法，广州市珠江科技新星专项，2017.5-2020.4，30万，主持

    4.       高端芯片可靠性与可信任性评价分析关键技术，“芯片、软件与计算”广东省重点领域研发计划，2019.7-2022.6，150/3000万，校方主持

    5.       新能源汽车碳化硅器件及模块的研发和产业化，“第三代半导体材料与器件”广东省重点领域研发计划，2020.1-2022.12，100/1600万，校方主持

    6.       金属氧化物薄膜晶体管低频噪声特性的影响机制、解析模型与可靠性应用研究，广东省自然科学基金，2019.10-2022.9，10万，主持

    7.       芯片安全架构设计技术成果科普化，广东省科技计划项目，2020.1-2020.12，10万，主持

    8.       纳米集成电路可靠性表征与评价方法，广东省国际合作项目，2019.1-2020.12，12.5/50万，校方主持

    9.       半导体器件低频噪声测试技术及其系统研发，广州市对外合作科技专项，2018.5-2021.4，60/200万，校方主持

  科研成果：

    1.   Liu Y., Deng S. B., Chen R. S., et al. Low Frequency Noise in the Hybrid-Phase-Microstructure ITO-stabilized ZnO Thin Film Transistors. IEEE Electron Device Letters. 2018, 39(2): 200-203.

    2.   Liu Y., Wu W. J., En Y. F., et al. Total Dose Ionizing Radiation Effects in the Indium–Zinc Oxide Thin-Film Transistors. IEEE Electron Device Letters. 2014, 35(3): 369-371.

    3.   Liu Y., Wu W. J., Lei Z. F., et al. Instability of Indium Zinc Oxide Thin-Film Transistors Under Transmission Line Pulsed Stress. IEEE Electron Device Letters. 2014, 35(12): 1254-1256.

    4.   Liu Y., He H. Y., Chen Y. Y., et al. Temperature-dependent Low-frequency Noise in Indium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors Down to 10 K. IEEE Transaction on Electron Device. 2019, 66(5): 2192-2197.

    5.   Liu Y., Chen R. S., Li B., et al. Analysis of Indium Zinc Oxide Thin Film Transistors under Electrostatic Discharge Stress. IEEE Transaction on Electron Device. 2018, 65(1): 356-360.

    6.  Zhong W., Yao R. H., Liu Y.*, et al. Effect of Self-Assembled Monolayers (SAMs) as Surface Passivation on the Flexible a-InSnZnO Thin-Film Transistors. IEEE Transaction on Electron Device. 2020, 67(8): 3157-3162.

    7.  Chen Y. Q., Liu X., Liu Y.*, et al. Hydrogen-dependent low frequency noise and its physical mechanism of HfO2 resistance change random access memory. Applied Physics Letters. 2017, 111(23): 232104.

    8.   Liu Y., Huang Y. X., Deng S. B., et al. Dimension Scaling Effects on Conduction and Low Frequency Noise Characteristics of ITO-Stabilized ZnO Thin Film Transistors. IEEE Journal of the Electron Devices Society. 2020, 8: 435-441.

    9.   Liu Y., Cai S. T., Han C. Y., et al. Scaling Down Effect on Low Frequency Noise in Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors. IEEE Journal of the Electron Devices Society. 2019, 7(1): 203-207.

    10.   Liu Y., He H. Y., Chen R. S., et al. Analysis and Simulation of Low Frequency Noise in the Indium Zinc Oxide Thin Film Transistors. IEEE Journal of the Electron Devices Society. 2018, 6(1): 271-279.