刘远 教授 博士生导师
联系方式：eeliuyuan@gdut.edu.cn
通讯地址：广东工业大学大学城校区理学馆211-3
所属团队：微纳电子器件与集成技术研究团队
简介：
刘远，1984年11月生，博士、教授、IEEE Senior Member、广东省特支计划青年拔尖人才、广州市珠江科技新星、国防科技优秀中青年人才。主要从事数字集成电路设计、薄膜晶体管与柔性集成电路、集成电路可靠性与可测性等研究。
研究方向：
1. AI芯片设计； 2. 薄膜晶体管与柔性集成电路；3. 集成电路可靠性与可制造性
教育经历：
2000.09-2004.06，华南理工大学，电子科学与技术，学士
2004.09-2009.06，华南理工大学，微电子学与固体电子学，博士
工作经历：
2009.07-2011.11，广东工业大学，材料与能源学院，讲师
2012.11-2014.11，工业和信息化部电子第五研究所，博士后、工程师
2014.12-2018.06，工业和信息化部电子第五研究所，高级工程师
2018.07-2020.12，广东工业大学，自动化学院，副教授
2021.01-至今，广东工业大学，集成电路学院，教授
主要荣誉：
1. IEEE Senior Member
2. 广东省特支计划青年拔尖人才
3. 广州市珠江科技新星
4. 国防科技优秀中青年人才
科研获奖：
1. 基于新型booth-16编码的高效蒙哥马利模乘，粤港澳大湾区集成电路优秀成果奖，2025
2. 新一代国密芯片及信息安全系统，广东省科技进步二等奖，2020
3. 微纳器件失效物理表征及应用技术，国防科技进步一等奖，2018
代表性科研项目：
1. 金属氧化物薄膜晶体管的总剂量辐照效应与模型研究，国家自然科学基金，2023.01-2026.12，52万，主持
2. 铟锌氧化物薄膜晶体管的低频噪声特性及其可靠性应用，国家自然科学基金，2016.01-2019.12，62万，主持
3. 双极型器件低剂量率辐射损伤机理与加速试验研究，国家自然科学基金，2012.01-2015.12，26万，主持
4. 基于噪声分析的金属氧化物薄膜晶体管可靠性表征与质量评估方法，广州市珠江科技新星专项，2017.05-2020.04，30万，主持
5. 高端芯片可靠性与可信任性评价分析关键技术，广东省重点领域研发计划，2019.07-2022.06，150/3000万，校方主持
6. 新能源汽车碳化硅器件及模块的研发和产业化，广东省重点领域研发计划，2020.01-2022.12，100/1600万，校方主持
7. 基于神经架构搜索的AI处理器定制设计与评测系统开发，广东省重点领域研发计划，2022.07-2025.06，180/1000万，校方主持
8. 高阈值电压低栅漏电的常关型GaN高电子迁移率晶体管研发及产业化应用，广东省重点领域研发计划，2024.01-2026.12，80/500万，校方主持
9. 纳米集成电路可靠性表征与评价方法，广东省国际合作项目，2019.01-2020.12，12.5/50万，校方主持
10. 半导体器件低频噪声测试技术及系统研发，广州对外合作科技专项，2018.05-2021.4，60/200万，校方主持
代表性科研成果：
1. Liu X., Ni Y., ..& Liu Y.* Heterointerface-Modulated Synthetic Synapses Exhibiting Complex Multiscale Plasticity. Advanced Science. 2025, 12(30): e17237.
2. Xie Y. J., Liu Y.*, Zheng X., et al. FLALM: A Flexible Low Area-Latency Montgomery Modular Multiplication on FPGA. IEEE Transactions on Computers. 2025, 74(1): 29-42.
3. Xie Y. J., Liu Y.* An Efficient LUT6-Based Montgomery Modular Multiplication Using Radix-16 Booth Method. IEEE Transactions on Computers. 2025, 74(9): 3223-3237.
4. Zhong W., Chen X. E., ..& Liu Y.* Biocompatible and Reusable Synaptic Transistor With Efficient Electron-Ion Dynamic Coupling Interface. IEEE Electron Device Letters. 2025, 46(3): 504-507.
5. Ni Y., Zhang Y. M., .. & Liu Y.* Transistor-Structured Artificial Dendrites for Spatiotemporally Correlated Reservoir Computing. IEEE Electron Device Letters. 2025, 46(10): 1881-1884.
6. Liu Y., Deng S. B., Chen R. S., et al. Low Frequency Noise in the Hybrid-Phase-Microstructure ITO-stabilized ZnO Thin Film Transistors. IEEE Electron Device Letters. 2018, 39(2): 200-203.
7. Lu H., Zhong W., .. & Liu Y.* Vapor-Phase Self-Assembled Monolayer With Functional Groups as a Copper Diffusion Barrier Layer for InSnZnO Thin-Film Transistors. IEEE Transactions on Electron Devices. 2024, 71(4): 2446-2451.
8. Chen Y. Y., Zhong W., .. & Liu Y.* Highly Stable Flexible Thin-Film Transistors in Harsh Environments by Superhydrophobic Passivations. IEEE Transactions on Electron Devices. 2023, 70(12): 6387-6392.
9. Ye W, Liu Y.*, Wang B, et al. Low-Frequency Noise Modeling ofAmorphousIndium–Zinc-Oxide Thin-Film Transistors. IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69(11): 6154-6159.
10. Zhong W, Zhang J, Liu Y.*, et al. Gate dielectric treated by self-assembled monolayers (SAMs) to enhance the performance of InSnZnO thin-film transistors. IEEE Transactionson Electron Devices, 2022, 69(5): 2398-2403.
11. Zhong W., Yao R. H., Liu Y.*, et al. Effect of Self-Assembled Monolayers (SAMs) as Surface Passivation on the Flexible a-InSnZnO Thin-Film Transistors.IEEE Transaction on Electron Device. 2020, 67(8): 3157-3162.
12. Liu Y., He H. Y., Chen Y. Y., et al. Temperature-dependent Low-frequency Noise in Indium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors Down to 10 K. IEEE Transaction on Electron Device. 2019, 66(5): 2192-2197.
13. Liu Y., Chen R. S., Li B., et al. Analysis of Indium Zinc Oxide Thin Film Transistors under Electrostatic Discharge Stress. IEEE Transaction on Electron Device. 2018, 65(1): 356-360.
14. Zhang J. F., Ding Z. Y., .. & Liu Y.* A Photolithography-Free Fabrication Strategy for Perovskite Photodetector Array with High-Security Imaging Application. Small Methods. 2025, 9(3).
15. Ni Y., Yang J. W., .. & Liu Y.* Sodium dopant in pectin mediates ionic-electronic coupling on Na0. 67Mg0. 28Mn0. 72O2 for electrolyte-type artificial synapse with tunable plasticity. Applied Physics Letters. 2025, 126(23): 234101.
16. Chen Y. Y., Liu X., ..& Liu Y.* Source-drain contact impacts on electrical performances and low frequency noise of InZnO thin-film transistors down to 7 K. Applied Physics Letters. 2024, 124(17): 173507.
17. Chen Y. Y., Liu Y.*, Deng S. B., et al.Low-frequency noise in InSnZnO thin film transistors with high-quality SiO2 gate oxide stacks. Applied Physics Letters. 2024, 124(2): 023501.
18. Shi W, Hu L, Liu Y.*, et al. Arithmetic and logic circuits based on ITO-stabilized ZnO TFT for transparent electronics. IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, 2021, 69(1): 356-365.
19. Xie Y. J., Liu Y.* Area-Efficient Modular Multiplication on FPGA. IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, 2025, 72(9): 1253-1257.
20. Xie Y, Liu Y.*, Zheng X, et al. A Dual-Core High-Performance Processor for Elliptic Curve Cryptography in GF (p) Over Generic Weierstrass Curves. IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, 2022, 69(11): 4523-4527.
