我国的第三代半导体技术和产业

报告题目：我国的第三代半导体技术和产业报告地点：理学馆213学术交流室报告时间：2026年1月17日14:30-16:00报告人：沈波教授邀请人：张紫辉教授内容简介：以GaN、SiC为代表的第三代半导体有许多不可替代的优异性质，应用领域广泛，是国家重大需求和国际高科技产业竞争的关键领域之一，正处于产业化的关键窗口期，因此受到了学术界、产业界、中央和地方政府，甚至金融投资界的高度重视。本报告分三个部分，第一部分简要介绍第三...

以教改促教学、以项目与竞赛提能力：师生互相成就的实践与体会

报告题目：以教改促教学、以项目与竞赛提能力：师生互相成就的实践与体会报告地点：理学馆IC时光咖啡厅报告时间：2026年1月6日12:40-13:10报告人：夏益民 博士邀请人：孙博 博士内容简介：本报告聚焦“以教改促教学、以项目与竞赛提能力”核心主线。首先从教改“是什么、为什么、怎么做”的逻辑切入，紧扣工程教育认证“以学生为中心、产出导向、持续改进”闭环要求，分享项目化教学、过程性评价与师生协同的实践心得；随后以20...

存算一体技术研究

报告题目：存算一体技术研究报告地点：理学馆 IC 时光咖啡厅报告时间：2025年1月6日 13：10-13：40报告人：雷登云 博士邀请人：孙博 博士内容简介：传统的计算机架构将计算单元（如 CPU/GPU）与存储单元物理分离。在进行计算时，数据必须频繁地在两者之间通过总线搬运，导致数据搬运产生的能耗远高于计算本身的能耗，迫切需要新的计算模式。存算一体技术是从“以计算为中心”向“以数据为中心”转型的关键。本报告介绍存算一体...

基金连连看—如何成功续约

报告题目：基金连连看—如何成功续约报告地点：理学馆IC时光咖啡厅报告时间：2025年12月30日12：40-13：10报告人：冯思路 博士邀请人：孙博 博士内容简介：报告将结合实际申报与执行经验，从科学问题延续性、技术路线演进、研究深度提升、团队与条件支撑等方面，提炼青年基金向面上基金“自然过渡”的可操作策略，实现基金项目从“单点突破”向“持续深耕”的平稳升级。报告人简介：冯思路，现任广东工业大学集成电路学院副教授...

基金申报的失败经历&半导体器件紧凑模型研究

报告题目：基金申报的失败经历&半导体器件紧凑模型研究报告地点：理学馆IC时光咖啡厅报告时间：2025年12月30日13：10-13：40报告人：于飞 博士邀请人：孙博 博士内容简介：汇报报告人基金申请的失败经验，分享并讨论申报心得体会，反思申报书撰写的不足，逐步完善、不断提高，希望通过本次报告能互相取长补短，完成申报。紧凑模型是链接器件工艺与芯片设计的桥梁，是集成电路设计EDA工具的物理核心。提升器件模型精度与效率的折...

高性能锁相环技术研究

报告题目：高性能锁相环技术研究报告地点：理学馆IC时光咖啡厅报告时间：2025年12月23日13：10-13：40报告人：孔祥键邀请人：孙博 博士内容简介：在当今高速通信与计算系统中，锁相环（PLL）作为频率合成与时钟恢复的核心模块，其低噪声性能已成为无线与有线两大应用领域共同面临的关键瓶颈。在无线通信方面，锁相环的相位噪声直接制约着5G/6G、毫米波等先进通信系统实现高阶调制与大容量传输的能力；而在有线通信领域，输出时...

薪火相传，初心如磐：从求学者到教育者的成长感悟

报告题目：薪火相传，初心如磐：从求学者到教育者的成长感悟报告地点：理学馆IC时光咖啡厅报告时间：2025年12月16 日12：40-13：10报告人：钟立平 博士邀请人：孙博 博士内容简介：报告将围绕“科研、论文、教学”三大核心，分享我在学术探索中的试错与破局，复盘高水平论文的逻辑构建与审稿应对，并探讨从学生到导师的身份跨越与责任传承。致敬恩师指引，期待与同仁共勉，助学子前行。报告人简介：广东工业大学特聘副教授，青...

基金申报心得体会

报告题目：《基金申报心得体会》报告地点：理学馆IC时光咖啡厅报告时间：2025年12月16日12：40-13：10报告人：徐莎 博士邀请人：孙博 博士内容简介：本报告将结合报告人近年来成功申报国家自然科学基金项目的实际经验，系统分享基金申报过程中的心得体会及注意事项，剖析申报书的撰写要点与常见误区，帮助科研人员更好地理解基金评审的标准，提升申报成功率。报告人简介：徐莎，博士、副教授、硕士生导师，2010年于华中科技大学...

从失败到成功：国家自然科学基金面上项目申请的教训与体会

报告题目：从失败到成功：国家自然科学基金面上项目申请的教训与体会报告地点：理学馆IC时光咖啡厅报告时间：2025年12月16 日13：10-13：40报告人：陈卓著 博士邀请人：孙博 博士内容简介：本报告结合自身申请国家自然科学基金面上项目从失败到成功的经历，主要总结在项目申请过程中常见的误区和关键要素。通过反思初期申请中的不足，如科学问题提炼不够精准、创新性阐述不突出以及研究方案设计欠完善等，逐步完善申请书内容，...

GaN半导体功率器件TCAD仿真建模与终端研究

2025年12月9日13：10-13：40

黄福平 博士

理学馆IC时光咖啡厅

报告题目：GaN半导体功率器件TCAD仿真建模与终端研究报告地点：理学馆IC时光咖啡厅报告时间：2025年12月9日13：10-13：40报告人：黄福平 博士邀请人：孙博 博士内容简介：功率器件在电力、机械、交通和新能源等技术行业具有巨大的市场潜力。与传统的硅（Si）材料相比，氮化镓（GaN）半导体具有更宽的带隙、更高的饱和漂移速度、更大的临界电场、更高的电子迁移率和更高的热导率等突出特性。这些优异的性能使 GaN 功率器件在高压...