得益于兴业银行的鼎力支持，集成电路学院青年教师“兴业”讲坛重磅来袭！这是为近三年新入职青年教师搭建的常态化高水平交流平台，既能让老师们展示研究、结识同行、探寻合作可能，也能让旁听的同学们近距离感受学术魅力！
每周二中午12点，学院师生将在IC时光咖啡厅的轻松氛围中进行分享交流，助力活跃学术思想、点燃创新火花！快来一起看看吧~
活 动 详 情
活动时间
每周二12:00 - 13:30
● 自由研讨&茶歇
时间：12:00-12:30
内容：青年导师进行研究生培养经验交流，教师之间分享最新研究成果、建立合作意向，研究生与本科生可近距离了解科研方向，学院特备茶歇助交流。
● 主题报告
时间：12:30-13:30
内容：青年教师专题报告聚焦多元跨域主题，涵盖科研前沿、交叉领域探索及项目申报、论文发表等实战经验，借平台深化互动交流，促思想碰撞与互学共进。
第二期 主 讲 人 介 绍
倪尧
报告人简介
南开大学博士，香港大学William Mong Visiting Research Fellow，广东工业大学“青百A层次”特聘副教授，Vebleo Fellow，中国真空学会高级会员，IEEE Member，CSCIED科技核心评价数据库评委，江门市蓬江区“百千万工程”人才智库专家顾问。主要从事神经拟态电子器件与系统的研究。主持国家自然科学基金、国防科技工业项目、广东省基础与应用基础研究基金、广州市基础与应用基础研究专题等课题10余项。累计发表SCI论文60余篇，其中以第一/通讯（含共同）作者身份在Nature Communications（2篇）、ACS Nano（2篇）、Advanced Functional Materials、Advanced Science（2篇）、SmartMat、Journal of Materials Science and Technology、Chinese Chemical Letters（2篇）、Nano Letters（3篇）、Nano Energy（3篇）、Small、IEEE Electron Device Letters（3篇）、Applied Physics Letters（3篇）等期刊发表高水平论文40余篇：其中包含中科院一区论文10余篇；入选ESI热点论文2篇；高被引论文3篇；封面论文3篇；撰写外文著作2章；发明专利授权6项；软件著作登记授权8项。担任光学工程与传感仪器国际会议（OESI）、先进传感与智能制造国际学术会议（ASIM）、微纳材料与半导体器件研讨会等重要会议技术委员会成员与分论坛主席。担任The Innovation, Microsystems & Nanoengineering, Exploration, Brain-X, Soft Science, Information & Functional Materials, VIEW, Progress in Natural Science: Materials International, Materials Lab, Nanoscale Advances,《真空科学与技术学报》等知名期刊客座主编和编委/青年编委。担任Nature Sensors、Materials science & Engineering R-Reports、Nano-Micro letters、Device等30余个期刊审稿人。
报告时间
2025年12月9日12：30-13：00
报告题目
GaN半导体功率器件TCAD仿真建模与终端研究
内容简介
本报告以“感知-融合-响应”一体化为核心愿景，提出面向多模态场景的人造神经与仿生系统框架，旨在突破传统单一模态、分立模块导致的延迟高、能耗大、适配差等瓶颈。通过将人造神经节点设计为兼具计算、存储与通信功能的时空可塑单元，使触觉、温觉、痛觉乃至视觉、听觉信号在统一脉冲语言下完成实时编码、特征关联与权重分配，实现跨模态信息的高效融合与快速决策；在此基础上，构建“传感-神经-执行”极简闭环，将感知事件直接映射为仿生终端的动作序列，缩短信息通路，降低系统复杂度，提升环境自适应能力。报告进一步探讨了生物多感知机制对工程架构的启发、工程实现反向促进神经科学发现的“双向启发”模式，以及系统级标准化接口、可扩展拓扑和任务导向评价体系的建立思路，展望了人造神经与仿生系统在智能机器人、康复医疗、沉浸式交互、极端环境作业等多元场景中的应用前景，为未来实现低能耗、高鲁棒、可演进的新一代类脑智能系统提供方法论支撑和路线参考。
黄福平
报告人简介
广东工业大学青年百人B类特聘讲师。主要从事GaN基半导体功率器件TCAD仿真建模、器件物理、芯片制备研究，包括SBD、PIN、JFET、MOSFET等半导体功率器件。已在 IEEE Transactions on Electron Devices、Applied Physics Express、Journal of Physics D: Applied Physics 等领域权威期刊发表论文15篇；已授权专利 3 项；现主持横向课题2项，作为科研骨干参与纵向、横向课题10余项。
报告时间
2025年12月9日13：00-13：30
报告题目
GaN半导体功率器件TCAD仿真建模与终端研究
内容简介
功率器件在电力、机械、交通和新能源等技术行业具有巨大的市场潜力。与传统的硅（Si）材料相比，氮化镓（GaN）半导体具有更宽的带隙、更高的饱和漂移速度、更大的临界电场、更高的电子迁移率和更高的热导率等突出特性。这些优异的性能使 GaN 功率器件在高压、大电流、高频和高温应用中具有显著优势。在众多基于GaN 的功率器件中，肖特基势垒二极管（SBDs）目前是研究的焦点。本报告主要围绕改善 GaN SBDs 的正向导通特性和反向击穿特性进行了系统阐述，并简要介绍了关键的模型开发方法和制备表征技术。
学生报名方式
注：学生报名名额为10名本科生，10名研究生
名额有限，先到先得
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听老师唠透行业“干货”
学生党们速来蹭课~
