我院微纳电子器件与集成技术团队在国际权威期刊《IEEE Electron Device Letters》发表题为《Transistor-Structured Artificial Dendrites for Spatiotemporally Correlated Reservoir Computing》的研究论文。

在神经形态计算架构创新方面，针对现有储层计算系统难以高效处理多样化时空信息的挑战，该团队开发了首款基于Ga-Sn-O（GTO）突触晶体管横向级联的人工树突器件。该器件采用高效的电子-离子耦合膜作为栅介质，支持无限横向栅极扩展与源漏/栅极端口互换，在厘米级沟道距离下仍能维持微安级输出电流，成功实现了时空关联信息的储层计算与高精度识别。

本论文的第一作者为广东工业大学集成电路学院倪尧副教授，广东工业大学集成电路学院陈雅怡副教授与刘远教授分别为第一/末位通讯作者。广东工业大学集成电路学院为论文第一完成单位。

[1] Yao Ni, Yumo Zhang , Jingjie Lin , Xingji Liu, Yue Yu , Lu Liu, Wei Zhong , Yayi Chen, Rongsheng Chen, Hoi Sing Kwok, Yuan Liu. Transistor-structured artificial dendrites for spatiotemporally correlated reservoir 

computing. IEEE Electron Device Letters 2025, 46, 1881-1884.