自旋芯片材料实验室

Laboratory of Spintronic Chip Material

本实验室依托广东工业大学集成电路学院成立，从事自旋电子学领域的原创性工作，致力于解决自旋电子学方向的理论和实验问题。实验室拥有一系列相关实验设备，如磁控溅射系统、分束外延生长系统、磁光克尔显微镜和飞秒时间分辨磁光克尔谱等。覆盖从材料生长到基础表征和自旋操控的全流程研究。

核心设备与技术能力

磁控溅射系统：高均匀性多靶溅射平台，支持磁性薄膜、多层膜及异质结结构的可控生长。

分子束外延（MBE）系统：提供高纯度、原子级可控的二维材料与界面生长。

振动样品磁强计（VSM）：精确表征磁性材料的磁矩大小、矫顽力与各向异性。

研究方向

高质量磁性薄膜与异质结的可控生长

人工反铁磁、斯格明子、多铁性材料等新型磁性体系

自旋电子学器件结构设计与优化

集成电路相关磁性存储与逻辑器件原型开发

课题组在 Sci.Adv., Phys. Rev. Lett., Nat. Comm.等国际一流 SCI 学术期刊上发表研究论文近 500 篇, 申请及授权相关专利 30 余项, 在美国 MRS 等国际学术会议上有近 50 多次邀请报告及讲座，承担多项国家级、省部级项目。

图1：飞秒激光诱导磁性翻转

图2 基于磁性拓扑结构的非互易输运

图3 基于磁畴的存算一体器件