地点：理学馆224学术报告厅
时间：2023年11月30日（周四）13:00-14:00
报告人：张紫辉 教授
报告题目：化合物半导体器件的设计、制备与数据库开发
报告人简介：张紫辉，男，生于1983年，2006年毕业于山东大学并获得理学学士学位，2015年毕业于新加坡南洋理工大学并获博士学位，后留校担任南洋理工大学研究员，曾担任河北工业大学教授、博士生导师，目前广东工业大学百人计划特聘教授、博士生导师，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所客座研究院，是河北省百人计划入选者、省级特聘专家、省特殊津贴专家、河北省青年拔尖人才、河北省优秀青年基金获得者、石家庄市管拔尖人才。主要研究宽禁带半导体器件、半导体器件物理、芯片设计与仿真技术及产业化推广；已经在Applied Physics Letters、IEEE Electron Devices、Optics Express、Optics Letters等领域内权威SCI 期刊发表科研论文150多篇，其中以第一作者/通讯作者发表文章110余篇；参与出版学术专著5部；获授权美国专利、中国国家专利共计34项，已经完成成果转化5项；先后主持国家自然科学基金3项（其中重点基金项目1项）、参与主持科技部重点研发计划2项、省部级及各类人才项目、企业横向课题19项。在SSL China、全国MOCVD学术会议、全国宽禁带半导体学术会议、International Conference on Nitride Semiconductors等国内外学术会议上作特邀报告20多次。《发光学报》青年编委，东旭集团平板显示玻璃技术和装备国家工程实验室技术委员会委员、理事，中国电工技术学会半导体光源专委会委员、中国电子学会会员。
内容简介：半导体仿真技术是基于TCAD有限元的一种半导体器件分析方法，通过求解泊松方程、薛定谔方程等与半导体内载流子输运与复合的物理方程，研究半导体器件的电流-电压特性、电光/光电转换过程，可视化半导体内部的能带分布、电场/电势分布等表征半导体器件的关键参数，即寄托计算平台，通过建立数理模型，对半导体器件进行“外延生长”、“器件制备”、”器件表征及分析”。本次报告将围绕深紫外发光二极管(DUVLED)、MicroLED、紫外探测器、功率半导体器件、半导体激光器开展详细讨论，详细阐述半导体器件仿真技术在半导体器件设计和制备过程中的关键作用，同时深入探讨影响各类半导体器件性能指标的关键因素，并开发出化合物半导体材料与器件相关的数据库信息，助力半导体制造领域的发展。
