学术报告：GaN功率半导体技术发展态势

报告地点：理学馆213学术交流室

报告时间：2024年12月17日 上午10：30-11:30

报告人：刘扬 教授

邀请人：张紫辉 教授

内容简介：

能源生产清洁化和能源消费电气化是实现“双碳”目标的必经之路，功率半导体技术在这两个过程中发挥着重要作用。以氮化镓（GaN）为代表的三族氮化物功率半导体基于其优异的材料物理特性，在消费类电子、工业电子、汽车电子、航空航天电子领域有着广阔的应用，对双碳目标的实现以及国家战略安全有着重要的战略意义。历经二十年产业链上下游的协同发展，目前已经解决大尺寸Si衬底上高耐压GaN材料外延，稳定常关型器件的制备以及与CMOS兼容的芯片制备工艺等GaN功率半导体的关键共性技术问题，并在在消费类电子领域实现了初步的推广应用。本报告将结合影响当前行业的痛点问题，分享关于未来三族氮化物功率半导体技术发展趋势的一些思考，以及中山大学团队的以往工作及未来规划。

报告人简介：

刘扬，中山大学电子与信息工程学院教授，博士生导师，中山大学电力电子及控制技术研究所所长、广东省第三代半导体GaN电力电子材料与器件工程技术研究中心主任，国际IEEE电子器件学会(EDS)功率半导体器件与集成电路技术委员会委员、中国电源学会理事，首位入选国际功率半导体业界权威会议ISPSD技术委员会GaN领域的中国大陆学者，国家和广东省十四五重点研发计划项目第三代半导体专项指南编制专家。从事GaN功率材料与器件研究和产业化推广工作20余年，是中国大陆GaN功率半导体领域学术及产业的拓荒者之一。先后牵头承担多项国家科技部、国家自然基金委、广东省科技计划等项目，曾在大尺寸Si衬底GaN功率电子材料外延及器件方面取得重要突破，并完成相关技术的产业化转移。拥有国家授权专利60余件，美国授权专利1件，发表学术论文120余篇。