报告地点：理学馆213学术交流室
报告时间：2025年4月24日（周四）10:00-11：30
报告人：曹鸿涛 研究员
邀请人：刘远 教授
内容简介：
以IGZO为代表的非晶氧化物薄膜晶体管（AOS-TFTs）在较高的迁移率（10 cm2/Vs 左右）、低温大面积制程（可至G8面板以上）、低的关态电流（约比低温多晶硅TFT低1000倍）等方面具有独特的优势。然而，伴随着显示技术的快速发展，现有显示驱动无法匹配新型高品质显示的迫切需求。与此同时，AOS-TFTs技术以及衍生技术已经在下述领域展现出巨大的应用潜力：如，可在板集成的图像传感技术，新型CMOS或者类CMOS逻辑电路，以及新型存储等应用领域，这些上游技术的迫切需求，也会对AOS-TFTs提出新的和更高的要求。本报告将围绕沟道内低温制程微结构序构化、新型沟道选材和器件结构设计、多重物理效应耦合和解耦合的机制理解展开工作，以期解决AOS-TFTs研发和学术界所遇到的部分难题。
报告人简介：
曹鸿涛，中国科学院宁波材料技术与工程研究所研究员，博士生导师，团队负责人。团队主攻方向为功能薄膜材料及器件（电子、光电子器件；光学组件）。在Adv. Mater.等期刊发表文章170余篇，论文他引4600余次，出版专著（章节）2部，授权30余项国家发明专利，培养研究生近40名。近年来，团队承担包括科技部重点研发计划、国家基金委自然科学基金、科学院重点部署项目、科学院对外合作交流重点项目、浙江省基金重大项目、浙江省尖兵研发攻关计划项目以及宁波市2025重大科技专项等各类科研任务。先后跟华为、京东方集团、爱发科株式会社、宁波舜宇集团等公司开展了深度项目合作。现任国际信息显示学会北京分会技术委员会委员、浙江省真空学会常务理事和浙江省光学学会理事。
