2021年11月，微电子学与集成电路领域国际顶级期刊《IEEE固态电路学报》（IEEE Journal of Solid-State Circuits, JSSC）上登载了广东工业大学集成电路学院杨畅副研究员和美国南卫理公会大学教授Ping GUI教授团队合作的论文“Design and Characterization of a 10-MHz GaN Gate Driver Using On-Chip Feed-Forward Gaussian Switching Regulation for EMI Reduction”。杨畅为该论文的第一作者。这是广东工业大学首次以第一作者单位在JSSC上发表论文，充分展示了广工在集成电路设计领域深厚的积累和雄厚的科研实力。

氮化镓等第三代半导体功率器件近年来在车规级大功率开关电源中被广泛应用。受高开关频率和高电压所引入高电磁干扰（EMI）的影响，汽车内部电磁兼容性设计面临挑战。本论文设计了一种10MHz 40V的氮化镓栅极驱动芯片，在不需要外接滤波器情况下，从电路层面降低开关电源产生的电磁干扰。该方案结合了高斯开关控制和频率抖动技术方案的优点，实现了从低频到高频超宽频（0.2MHz-500MHz）的电磁干扰抑制效果，电磁辐射抑制比最高可达38.7dB。在应用该方案的同时，电路还保持了较高的能量转化效率（85.2%），并满足苛刻的节能标准和CISPR-25 EMC电磁兼容性标准。该芯片采用0.18μm高压CMOS工艺进行流片验证，主要性能指标达到国际一流水准。

基于高斯开关的控制方法的氮化镓栅极驱动芯片：（a）系统架构；（b）芯片照片；（c）不同工作模式测试结果

JSSC是集成电路设计领域的顶级期刊，也是中科院JCR分区体系中集成电路领域唯一的一区期刊，投稿要求必须有芯片流片且实际测试指标世界领先。自1966年创刊至今50余年时间内，中国大陆仅有清华大学、复旦大学等少数机构在此期刊上总计发表论文50余篇（平均每年不到1篇）。

杨畅，广东工业大学“青年百人计划”副研究员。2012年硕士毕业于电子科技大学，2020年博士毕业于美国南卫理公会大学。曾在新加坡南洋理工大学任高级研发工程师，2021年1月入职广东工业大学集成电路学院。主要从事模拟集成电路、射频集成电路，人工智能安全电路等研究工作。研究成果在IEEE JSSC（2篇），IEEE RFIC和IEEE CICC等多个集成电路设计领域顶级期刊和会议上发表。

论文链接：https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9528362