杨格亮 教授 硕士生导师

联系方式：gelsyang@qq.com

通讯地址：广东工业大学广州大学城校区集成电路学院5楼

所属团队：射频/毫米波集成电路与微系统研究团队

简介：

2013年12月至2024年8月就职于中国电科54所从事微波毫米波集成电路的研发工作，任该单位微波毫米波芯片设计总师。入职10年来主持、参与10余项重大项目论证以及近百款产品研发，其中数十款已实现了量产。工作期间主持军口863项目子课题1项、装发预研项目1项、军兵种型研项目2项、河北省重点基础研究专项1项，参与新一代卫星通信和军用“核心电子元器件”国家科技重大专项项目各1项、军用电子元器件“型谱”、新品、预研、发展基金、部控自研项目多项，独立设计完成数十款基于CMOS、SiGe和GaAs工艺的微波毫米波芯片，以第一发明人获授权发明专利6项，以第一作者发表SCI/EI论文10篇，获国防奖1项、中国电科集团奖2项。

研究方向：

1、硅基射频集成电路

2、III-V族化合物半导体MMIC

3、基于SiP技术的射频微系统

教育经历：

2009.09-2013.11 东南大学 电路与系统 博士

2006.09-2009.04 西安电子科技大学 电路与系统 硕士

2002.09-2006.07 皖西学院 物理学 学士

工作经历：

2024.09-至今 广东工业大学 教授

2013.12-2024.08 中国电科54所 正高级工程师

主要荣誉：

1、2022年01月获国防技术发明三等奖

2、2022年12月获中国电科集团科学技术三等奖

2、2021年12月获中国电科集团科学技术三等奖

科研项目：

1、所发展基金，系列化高性能射频芯片，设计总师，2023.5至今，经费1200万。

2、装发预研，XX低噪声放大器技术研究，设计总师，2017.1-2020.1，经费X76万。

3、装发预研，XX功率放大器技术研究，设计总师，2017.1-2020.1，经费X06万。

4、河北省重点基础研究专项，DC-30GHz高倍频程UWB LNA芯片技术研究，设计总师，2018.3-2021.6，经费25万。

5、军用“核心电子元器件”国家科技重大专项，2020.7-2021.10月，XX射频收发机，主任设计师，经费X900万。

6、“军口”863项目子课题， XX器件与组件技术，设计总师，2014.7-2016.7，经费X0万。

科研成果：

1.代表性学术论文：

[1]Geliang Yang, Keping Wang, Zhigong Wang, "20.8-51 GHz highly balanced CMOS balun" Electronics Letters, Vol. 53(17), pp: 1202-1203, 2017.

[2]Geliang Yang, Zhigong Wang, Zhiqun Li, Qin Li, Keping Wang, "Modified T-model with an improved parameter extraction method for silicon-based spiral inductors" IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Vol. 24(11), pp:817-819, 2014.

[3]Geliang Yang, Zhigong Wang, Zhiqun Li, Qin Li, and Faen Liu, "Balance-copensated asymmetric Marchand baluns on silicon for MMICs" IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Vol. 24(6), pp:391-393, 2014.

[4]Ge Liang Yang, Faen Liu, Amin Muhammad and Zhigong Wang, "30-50 GHz high gain CMOS UWB LNA" Electronics Letters, Vol. 49(5), pp: 1622-1623, 2013.

[5]Geliang Yang, Rui Chen, Keping Wang "A CMOS balun with common ground and artificial dielectric compensation achieving 79.5% fractional bandwidth and <2° phase imbalance ", IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, pp: 1319-1322, 2020.

2.知识产权：

[1]杨格亮等，一种用于低噪声放大器的高倍频程超宽带输入匹配电路，2024年授权，专利号：ZL201910564675.1。

[2]杨格亮等，一种基于Cascode电感异位耦合的低噪声放大器，2024年授权，专利号：ZL201910564723.7。

[3]杨格亮等，一种自偏置的超宽带低功耗低噪声放大器，2018年授权，专利号：ZL201510220400.8。

[4]杨格亮等，一种硅基片上平面螺旋电感，2018年授权，专利号：ZL201611085808.X。

[5]杨格亮等，一种宽带高平衡度的片上变压器巴伦，2017年授权，专利号：ZL201510220398.4。

[6]杨格亮等，一种射频无源电感的Q值提升电路，2017年授权，专利号：ZL201410707341.2。