首页 > 新媒体集成 > 正文

2025科研成果回顾-15极低压极低功耗片上振荡器研究

日期:2026-04-06浏览:


我院研究生在电路与系统领域的权威期刊《IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs》发表研究论文,题为《A 0.4-V 0.92-nW 20-kHz Fully-Bias-Free FLL Using Time-Domain Operational Amplifier With Self-Adaptive Charge-Sharing Integrator》。



随着物联网(IoT)技术的快速发展,广泛应用于IoT设备的片上振荡器成为集成电路低压低功耗设计领域的研究热点。传统片上振荡器采用的张弛振荡器结构在亚0.4V低压下受温度影响显著,而现有的锁频环(FLL)结构在很大程度上改善了低压下由温度变化引起的输出频率误差,但仍对极低压设计有所限制,在功耗和电压灵敏度上仍有很大的提升空间。针对这些挑战,团队创新性地提出了一种全免偏置(FBF)的FLL结构,成功研制出一款性能领先的新型极低压极低功耗片上振荡器。首先,免偏置时域运算放大器(TD-OPA)被提出来替代现有结构中的时域积分器,从而完全移除了FLL中的静态功耗,同时加入占空比控制技术调控系统休眠,进一步降低了整体功耗。其次,引入创新性的自适应电荷共享积分器(SA-CS),解决了原结构中极低压下所面临显著的失配问题,并结合时钟升压开关,在很大程度上提升了极低压设计的稳定性。从整体上来说,本工作实现了一个低压友好型的全时域FBF FLL结构,为片上振荡器的极低压极低功耗设计提供了全新的思路。测试结果表明,该芯片在0.4V电压下具有0.92 nW的极低功耗和0.046 nW/kHz 出色的品质因数(FoM),以及在0.35 V至0.45 V电压范围内0.055 %/0.1V优秀的电压灵敏度。与当前最先进的低压振荡器相比,本工作取得了更好的性能,尤其是面对亚0.4V的应用。

在实际应用方面,该芯片可广泛应用于IoT领域的各类低功耗终端设备,包括依赖能量收集或微型电池供电的无线传感器网络节点、长期续航的可穿戴健康监测设备、植入式医疗传感模块,以及工业IoT中部署在恶劣环境下的低功耗数据采集终端等,延长设备续航时间、降低维护成本,为IoT设备的微型化、长周期待机和工作提供了核心支撑。


本论文的第一作者为广东工业大学集成电路学院2023级硕士研究生林沛隆,指导老师为中国科学院半导体研究所张钊研究员、广东工业大学集成电路学院蔡述庭教授和刘远教授,广东工业大学集成电路学院为论文的第一完成单位。


[1] Lin, Peilong; Cai, Shuting; Liu, Yuan; Zhang, Zhao. A 0. 4-V 0. 92-nW 20-kHz Fully-Bias-Free FLL Using Time-Domain Operational Amplifier With Self-Adaptive Charge-Sharing Integrator. IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II-EXPRESS BRIEFS, 2025, 72(12):1947-1951.