地点：理学馆213学术交流室
时间：2024年5月24日（周五）14:30~15:30
报告人：魏进 研究员
邀请人：贺致远 教授
内容简介：GaN功率器件与功率集成电路已经进入商业化早期，逐渐在消费类市场取得应用。然而，现有的GaN功率半导体芯片往往具有较低的电压等级。商业GaN单管产品电压等级通常在900V以内，1200V器件产品仅有少量报道。而GaN功率集成电路往往仅能实现单个功率器件与其低压驱动电路的集成；而电路拓扑中普遍采用的桥式电路需要多个功率器件集成，目前商业GaN桥式集成电路的电压等级通常在100V以内。本报告将探讨GaN功率器件与功率集成电路电压等级受限的主要原因，并将展示多项提升GaN功率器件及功率集成电路电压等级的新型技术方法。
报告人简介：魏进，北京大学集成电路学院研究员、博士生导师。长期致力于 GaN 基、 SiC 基功率电子器件的研究，取得一系列具有国际影响力的创新成果，包括GaN有源钝化技术、GaN器件动态阈值电压理论、GaN CMOS技术、GaN高压集成技术、GaN/SiC HyFET等。以一作/通讯作者发表学术论文70余篇，包括5篇IEDM、17篇IEEE EDL，16篇IEEE TED，19篇ISPSD。Google引用 3500 余次， H 因子 33，授权中国/英国/美国专利 10项。近五年作为项目负责人承担了国家重点研发计划子课题、国家自然科学基金面上项目等科研项目。
