地点：理学馆213学术交流室
时间：2024年5月24日（周五）15:30~16:30
报告人：明鑫 教授
邀请人：贺致远 教授
内容简介：GaN具有优越的器件优值FOM，开关频率可以推到MHz范围，突破了传统电源功率密度和效率瓶颈。然而，器件物理特殊性需要定制化栅驱动电路和采用先进的环路控制策略，最大程度提高GaN功率开关应用的可靠性，发挥其高频优势。该报告针对GaN栅驱动电路，从死区高负压控制、dI/dt和dV/dt转换机理与控制、高速高抗扰能力电平位移电路、健康驱动等介绍相关控制策略。
报告人简介：明鑫教授/博导（国家级青年人才、电子科大校百人计划、四川省学术和技术带头人后备人选、杭州市钱江特聘专家、功率半导体顶会ISPSD技术委员会成员、国家科技专家库成员、华为-电子科大功率电子联合实验室技术委员会委员）
长期专注于高效、高功率密度电源管理IC及硅基GaN驱动痛点问题，以提高转换效率、降低EMI 噪声干扰、实现快速负载响应为目标。近5年在功率集成电路与系统领域主持国家级项目6项、省部级项目1项。在IEEE JSSC、TCAS I/TCAS II、TPE、TIE、ISPSD和CICC等电路旗舰期刊和顶尖会议上发表论文20余篇，6次国际会议分会场口头报告；美国专利5项，中国发明专利40余项；参与编著“十三五”国家集成电路设计丛书《功率集成电路设计技术》。2019年获四川省科学技术发明二等奖。
