周贤达 特聘副教授 硕士生导师

联系方式：zxdnc@163.com

通讯地址：广东工业大学大学城校区理学馆714室

所属团队：感存算器件与其系统集成科研团队  

简介：

周贤达，2013年获香港科技大学博士学位，随后在香港工业界负责功率半导体器件的研发和生产（2013-2016），2017年至2022年担任中山大学电子与信息工程学院副研究员，自2022年起担任广东工业大学集成电路学院副教授（青年百人A级）。周贤达博士推出过多款功率半导体芯片产品，曾参与创立的安建科技被央视《发现之旅》和《新浪财经》等主流媒体报道。周贤达博士累计获中外发明专利授权18项，主持2项国家自然科学基金项目，以第一/通讯作者身份在行业顶级会议和权威期刊上发表学术论文12篇，并长期担任电子器件领域权威期刊《IEEE Electron Devices Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》的审稿人以及对口军工企业的技术顾问。

研究方向：

1. 功率半导体器件

2. 功率集成技术

教育经历：

2008-2013 香港科技大学，电子及计算机工程学系，博士

2005-2008 电子科技大学，微电子与固体电子学院，硕士

2001-2005 电子科技大学，微电子与固体电子学院，学士

工作经历：

2022-至今 广东工业大学，集成电路学院，副教授

2017-2022 中山大学，电子与信息工程学院，副研究员

2013-2016 香港/中山港科半导体（安建科技前身），主任工程师及生产副总监

科研项目：

1. 非晶氧化铟镓锌材料中雪崩效应的实验测定和载流子输运机制研究，国家自然科学基金面上项目，2023-2026.

2. 用于中、低压功率电子系统的垂直隧穿场效应晶体管研究，国家自然科学基金青年项目，2019-2021.

科研成果：

1. 代表性学术论文：

1. X. Zhou, L. Lu, Y. Liu, K. Wang, Y. Guo, H. Ma, J. Yu, A. Nathan, and J. K.O. Sin, “Potential of the Amorphous Oxide Semiconductors for Heterogeneous Power Integration Applications”, , IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 70, no. 1, pp. 204-208, Jan. 2023.

2. X. Zhou, L. Lu, J. Wei, Y. Liu, K. Wang, M. Wong, and H. Kwok, “Extracting the Critical Breakdown Electrical Field of Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide from the Avalanche Breakdown of n-Indium-Gallium-Zinc-Oxide/p+-Nickel-Oxide Heterojunction Diode”, IEEE Electron Device Letters, vol. 41, no. 7, pp. 1017–1020, Jul. 2020.

3. X. Zhou, L. Lu, K. Wang, M. Wong, J. K.O. Sin, and H. Kwok, “Low-Temperature-Processed Power Schottky Diode Based on Amorphous Indium-Tin-Zinc-Oxide/Indium-Gallium-Zinc-Oxide Bilayer”, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 66, no. 11, pp. 4759-4763, Nov. 2019.

4. X. Zhou, M. Zhang, Y. Xu, K. Wang, M. Wong and H. Kwok, “Vertical ITO/SiOX/a-Si:H Photodiode-Gated Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor Intended for In-Display Fingerprint Imaging Applications”, IEEE Electron Device Letters, vol. 39, no. 9, pp. 1338–1341, Sept. 2018.

5. X. Zhou, H. Feng and J. K.O. Sin, “A Novel SNOS Gate-Controlled, Normally-Off PIN Switch”, IEEE Electron Device Letters, vol. 35, no. 1, pp. 111–113, Jan. 2014.

6. X. Zhou, H. Feng and J. K.O. Sin, “Hot Carrier Injection Effects in the Ultra-Shallow Body SONOS Gate Power MOSFET”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 60, no. 6, pp. 2008-2014, Jun. 2013.

7. X. Zhou, J. C.W. Ng and J. K.O. Sin, “UIS Analysis and Characterization of the SONOS Gate Power MOSFET”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 59, no. 2, pp. 408-413, Feb. 2012.

8. X. Zhou, J. C.W. Ng and J. K.O. Sin, “A Novel SONOS Gate Power MOSFET with Excellent UIS Capability”,  IEEE Electron Device Letters, vol. 32, no. 10, pp. 1415–1417, Oct. 2011.

9. X. Zhou, L. Lu, K. Wang, Y. Liu, and J. K.O. Sin, “Low-Temperature Fabricated Amorphous Oxide Semiconductor Heterojunction Diode for Monolithic 3D Power Integration Applications”, Proc. ISPSD, Nagoya, Japan, pp. 283-286, Jun. 2021.

10. X. Zhou, H. Feng and J. K.O. Sin, “A Planar SONOS Gate Power MOSFET with an Ultra-Shallow Body Region”, Proc. ISPSD, Bruges, Belgium, pp. 93-96, Jun. 2012.

2.代表性知识产权：

1. 周贤达、王凯、林俊豪. 一种隧穿场效应晶体管结构. 中国专利：202010357071.2. 2021-08-10.

2. X. Zhou, W. Liu and J. K.O. Sin, “Solid Power Semiconductor Field Effect Transistor Structure”, US Patent, No. 11004935B2, May 2021.

3. X. Zhou, K. Wong and J. K.O. Sin, “Insulated Gate Bipolar Transistor Structure and Method for Manufacturing the Same”, US Patent, No. 10692995B2, Jun. 2020.

4. 周贤达、廖慧仪、单建安. 坚固的功率半导体场效应晶体管结构. 中国专利：201610162877.X. 2020-06-30.

5. 周贤达、黄嘉杰、单建安. 一种绝缘栅双极型晶体管结构及其制造方法. 中国专利：201610493847.7. 2019-06-07.

6. 周贤达、徐远梅、舒小平. 一种坚固的功率半导体场效应晶体管结构. 中国专利：201610362466.5，2019-01-01.

7. 周贤达、舒小平、徐远梅. 绝缘栅双极晶体管结构. 中国专利：201610310328.2，2019-01-01.

8. 周贤达、冯淑华、单建安. 沟槽栅功率半导体场效应晶体管. 中国专利：201480002401.9，2018-10-23.

9. 周贤达、舒小平、徐远梅. 绝缘栅双极晶体管的制造方法. 中国专利：201610310327.8，2018-09-27.

10. X. Zhou, S. Fung and J. K.O. Sin, “Trench Gate Power Semiconductor Field Effect Transistor”, US Patent, No. 9755043B2, Apr., 2017.