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楚春双

发布时间:2023-12-18点击数:

楚春双 副教授 硕士生导师

联系方式:chuchunshuang@hotmail.com

通讯地址:广东工业大学集成电路学院

所属团队:宽禁带半导体器件与集成团队

 


简介:楚春双,女,河北工业大学博士,广东工业大学青年百人A类特聘副教授,硕士生导师。主要从事GaN基半导体器件TCAD仿真建模、器件物理、芯片制备与片上集成工艺的研究,包括激光器、深紫外LED和紫外探测器等半导体光电子器件。目前已在IEEE Transactions on Electron Devices、IEEE Electron Device Letters等领域内权威SCI期刊发表科研论文69篇,其中以第一作者/通讯作者身份发表论文24篇;撰写学术著作章节1章和学术著作1部;已授权专利9项。承担中国博士后科学基金面上项目、省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室人才培育项目、江苏省光电信息功能材料重点实验室和中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室开放课题、河北省研究生创新资助项目5项,作为科研骨干参与科技部重点研发计划、国家自然科学基金重点项目和河北省自然科学基金项目5项。荣获第二届博士后创新创业大赛河北省银奖、第十六届iCAN大学生创新创业大赛全国总决赛二等奖、第八届能源、材料与光子学会议优秀学者奖、第十七届全国MOCVD学术会议优秀海报奖。

研究方向:

半导体光电器件TCAD仿真建模与器件物理研究

半导体光电芯片工艺制备与片上集成

教育经历:

2018-2021 河北工业大学 博士研究生

2016-2018 河北工业大学 硕士研究生

工作经历:

2024-至今 广东工业大学 副教授 硕士生导师

2022-2023 河北工业大学 讲师

2021-2022 河北工业大学 博士后

科研项目:

  1. 中国博士后科学基金面上项目:基于金属栅结构高响应度的Ga2O3/AlGaN/GaN基日盲紫外探测器的设计与制备,项目执行期:20227-20247月,主持。

  2. 省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室人才培养基金项目:高响应度GaN基自驱动紫外探测器的设计与制备,项目执行期:202112-202312月,主持。

  3. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室开放课题:GaN基肖特基势垒二极管的制备与研究,项目执行期:2022年5月-2023年10月,主持。

  4. 江苏省光电信息功能材料重点实验室开放课题:改善深紫外发光二极管载流子输运及发光效率的机理研究与分析,项目执行期:20211-202212月,主持。

  5. 河北省创新资助项目:深紫外LED空穴注入调控及机理研究,项目执行期:20204-20214月,主持。

  6. 国家自然科学基金区域创新发展联合基金重点项目:SiGaN高效功率电子器件制备、TCAD仿真及机理研究,项目执行期:20241月-202712月,参与。

  7. 科技部重点研发计划项目:AlGaN基深紫外量子结构光电特性及其调控方法,项目执行期:202211-202510月,参与。

科研成果:

1.代表性学术论文:

[1] C. S. Chu, Y. Jia, S. Hang, Y. Chen, T. Jia, K. Tian, Y. Zhang, Z.-H. Zhang, Fabricating and investigating a beveled mesa with a specific inclination angle to improve electrical and optical performances for GaN-based micro-light-emitting diodes, Optics Letters, 2023, 48(22): 5863.

[2] Z. P. Liu# , C. S. Chu# , B. X. Wang, G. S. Huang, K. Jiang, Y. H. Zhang, X. J. Sun, Z.-H. Zhang, D. B. Li, Hybrid Ga2O3/AlGaN/GaN ultraviolet detector with gate metal in the grooved AlGaN layer for obtaining low dark current and large detectivity, IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69, 6166.

[3] C. S. Chu, K. K. Tian, H. Shao, J. M. Che, Y. H. Zhang, Z.-H. Zhang, Polarization self-screened multiple quantum wells for deep ultraviolet light-emitting diodes to enhance the optical power, IEEE Photonics Journal, 2021, 13(5): 8200305.

[4] C. S. Chu, K. K. Tian, J. M. Che, H. Shao, J. Q. Kou, Y. H. Zhang, Z.-H. Zhang, H.-C. Kuo, On the impact of electron leakage on the efficiency droop for AlGaN based deep ultraviolet light emitting diodes, IEEE Photonics Journal, 2020, 12(3): 1600207.

[5] C. S. Chu, K. K. Tian, J. M. Che, H. Shao, Y. H. Zhang, Y. Li, M. Y. Wang, Y. H. Zhu, Z.-H. Zhang, On the origin for enhanced hole injection for AlGaN based deep ultraviolet light-emitting diodes with AlN insertion layer in p-electron blocking layer, Optics Express, 2019, 27(12): A620-A628.

2.知识产权:

[1]张紫辉;楚春双;张勇辉;杭升,具有侧壁场板的发光二极管器件结构及其制备方法,CN111403566A(授权日:2020年7月10日)。

[2]张紫辉;宣展;楚春双;朱政吉;张勇辉,基于极化掺杂的NPN紫外探测器结构,CN115000234B(授权日:2023年6月30日)。

[3]张紫辉;刘祖品;楚春双;张勇辉,具有金属栅结构的Ga2O3/AlGaN/GaN日盲紫外探测器及其制备方法,CN114267747B(授权日:2023年6月2日)。

[4]张紫辉;黄福平;张勇辉;楚春双,一种具有P型氧化镍材料的混合式肖特基势垒二极管结构,CN112909076A(授权日:2022年7月12日)。

 

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