李希越 讲师

联系方式：lixiyue915@gdut.edu.cn

通讯地址：广东工业大学大学城校区工学一号馆709

所属团队：射频与毫米波前端芯片设计及应用研究团队

简介：

李希越，1986年生，博士、讲师。主要从事半导体器件建模研究。

研究方向：

1. P型GaN器件建模及性能优化

2. AlGaN/GaN HEMT可靠性研究

教育经历：

2005.9-2009.6，西安电子科技大学，集成电路设计与集成系统，获学士学位；

2009.9-2012.6，暨南大学，通信与信息系统，获硕士学位；

2012.9-2016.12，华南理工大学，微电子学与固体电子学，获博士学位。

工作经历：

2016.12-2021.09，广东工业大学，信息工程学院，讲师

2021.10-至今，广东工业大学，集成电路学院，讲师

科研项目：

1. 基于第三代化合物半导体的射频前端系统技术，国家重点研发计划项目，2019.7-2023.06，4647万，参与

科研成果：

1. Yaqun Liu,Xiyue Li*, Gary Zhang, Everett Wang, Jing Wang, The Calculation for Quantized Valence Subband Structure of Zinc-blende GaN Heterojunction Quantum Well based on k×p Method, Semiconductor Science and Technology, 2021.

2. Yaqun Liu, Everett Wang, Gary Zhang andXiyue Li*, The Quantum Calculation for Valence Band Structure of Strained Zinc-blende GaN Using Six-Band Based k×p Method, IEEE International Conference on Electron Devices and Applications, 2021.

3. Xiyue Li,Bin Li* and Guangrui Xia, Effects of Biaxially-Tensile Strain on Working Performances of Germanium Laser,Journal of South China University of Technology, 2017.

4. Xiyue Li, Zhiqiang Li, Simon Li, Lukas Chrostowski and Guangrui Xia*,Design Considerations of Biaxially Tensile-Strained Germanium-on-Silicon Lasers, Semiconductor Science and Technology, 2016.

5. Xiyue Li, Zhiqiang Li, Simon Li, Bin Li and Guangrui Xia*, Temperature Characteristics of Tensile-Strained Ge-on-Si Lasers, International Silicon-Germanium Technology and Devices Meeting, 2016