倪尧 讲师 硕士生导师

联系方式：niyao0723@163.com，niyao@gdut.edu.cn

通讯地址：广州市番禺区广州大学城外环西路100号广东工业大学集成电路学院718-3室

所属团队： 微纳电子器件与集成技术研究团队

简介：1994年生，中共党员，2023年取得南开大学电子科学与技术博士学位，同年以青百有条件A层次人才身份加入广东工业大学集成电路学院，2024年获得William Mong Visiting Research Fellowship资助前往香港大学工程学院进行访问。主要从事神经拟态电子器件与系统的研究，以第一（含共一）及通讯作者身份在Nature Communications、ACS Nano、Nano Letters、Advanced Functional Materials、Advanced Science、Nano Energy、SmartMat、Small、Chinese Chemical Letters、IEEE Electron Device Letters、Applied Physics Letters等期刊发表SCI论文30余篇，其中包含中科院一区论文16篇，入选封面论文3篇；入选ESI高被引论文1篇；撰写英文专著2章；申请发明专利10余项。担任The Innovation, Microsystems & Nanoengineering, Exploration, Soft Science, Information & Functional Materials, VIEW, Progress in Natural Science: Materials International, Materials Lab, Biosensors, Sensors, Nanoscale Advances等期刊客座编辑和青年编委。

研究方向：

新型信息材料（包括但不限于：量子点、纳米线、二维材料、有机/无机杂化材料、水/离子凝胶、电解质）

可穿戴与仿生电子器件（包括但不限于：传感器、晶体管、存储器、制动器）

人工神经网络架构及算法（包括但不限于：传统机器学习、CNN、SNN、SLTM、储备池计算）

仿生神经界面与人机接口（板级电路设计）

教育经历：

2019.09-2023.06 南开大学 电子科学与技术 博士

2016.09-2019.06 重庆大学 集成电路工程 硕士

2012.09-2016.06 重庆邮电大学 微电子 学士

工作经历：

2024.09-2025.08 香港大学 工程学院（电机电子工程系） William Mong Visiting Research Fellow

2023.07-至今 广东工业大学 集成电路学院 讲师

科研项目：

广东省基础与应用基础研究基金，2023.11 -2026.10，主持

广州市基础与应用基础研究专题，2025.4-2027.3，主持

河南省科技攻关，2024.01-2026.12，联合主持

科研成果：

1.1 代表性学术论文（入职后）

[1] Nature Communications 15: 3454 (2024). (第一作者，中科院一区)

[2] Nano Letters 25: 3002 (2025). (通讯作者，中科院一区)

[3] Nano Letters 24: 15379-15387 (2024). (共同一作，中科院一区)

[4] Nano Letters 23: 8743-8752 (2023). (共同一作，中科院一区)

[5] Chinese Chemical Letters 34: 108419 (2023). (第一作者, 封面论文，中科院一区)

[6] IEEE Electron Device Letters (2025). (通讯作者)

[7] Applied Physics Letters 124(16): 164101(2024). (通讯作者)

[8] Applied Physics Letters 125(8): 084102 (2024). (通讯作者)

[9] Advanced Electronic Materials 10: 2300702 (2024). (通讯作者)

[10] Biosensors 14: 330 (2024). (通讯作者)

[11] Journal of Semiconductors 46: 012603 (2025). (共同一作)

2.1 外文著作

[1] W. Xu, H. Han, S. Zhang, Z. Xu, Y. Ni, & H. Wei. Low-dimensional conjugated polymer-based artificial synapses [M]// S. Yurish. Advances in intelligent systems: reviews, vol. 2. IFSA Publishing, Spain, ISBN: 978-84-09-29876-1 (2021).

[2] W. Xu, & Y. Ni. Memory characteristics and mechanisms in transistor-based memories [M]// S. -T. Han, & Y. Zhou. Photo-electroactive non-volatile memories for data storage and neuromorphic computing. Elsevier, UK ISBN: 978-0-12-819717-2 (2020).

3.1 知识产权

一种柔性人工突触晶体管及其制备方法和应用：CN 202311661490.5，中国

一种突触晶体管及其制备方法和应用：CN 202311661464.2，中国

一种模拟多递质延时性释放的人工突触晶体管及其制备方法：CN，202410281218.2，中国

一种基于层状多元金属氧化物的人造突触及其制备方法：CN，202410350431.4，中国

一种具有输出大电流的OFET管及其制备方法：CN 201711157659.8，中国

一种基于Ti3C2-MXene/电解质结构的人工突触器件的制备方法：CN 202011019085.X，中国

一种用于模拟生物突触神经递质多路复用的双兴奋性人工突触器件的制备方法：CN 202011073522.6，中国

一种基于p-6p/C8-BTBT复合材料的OFET管及其制备方法：CN 201711157046.4，中国

一种基于普适绝缘层的OFET管驱动及其制备方法：CN 201810066650 .4，中国

一种具有长时程可塑性的突触晶体管及其制备方法：CN 202210418786.3，中国

一种具有色/电双权重调控的人工突触器件：CN 202310287657.X，中国

4.1部分成果封面展示：